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TFT液晶模组与RGB接口搭配使用也是非常好的。众所周知RGB接口是一种应用率非常高的并行接口，其MCU可以直接更新TFT屏幕的内容，除此之外它还可同步发送红绿蓝像素数据和时间信号，如此一来TFT液晶模组在接收到信号后便可以按照内置MCU的要求进行播放显示。

TFT式显示屏是各类笔记本电脑和台式机上的主流显示设备，液晶面板由两块玻璃基板中间灌装了液晶在里面，是tft液晶屏的重要组成部分，背光中又包含了很多组件，上下铁框、LED灯，汕头显示模块，增亮膜材等等，有了背光tft液晶屏才能点亮。该类显示屏上的每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动，因此TFT式显示屏也是一类有源矩阵液晶显示设备。是较好的LCD彩色显示器之一，TFT式显示器具有高响应度、高亮度、高对比度等优点，其显示效果接近CRT式显示器。

除了面板和背光还有IC、排线、上下偏光片等等，通讯设备显示模块采购，甚至加上触摸屏以及PCB板的组合也被人们称之为tft液晶屏，

TFT液晶模组可以与MCU并行接口搭配使用，这种MCU并行接口已内置LCD控制器。当MCU并行接口接收数据信号和控制信号时，家电行业显示屏控制模块厂家，便可以实现时显示内置MCU所要显示的内容，通过MCU并行接口的连接还有助于提升TFT液晶模组的整体显示功能。

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光刻形成的ITO有3个作用：

1）TFT处ITO，用作像素电极，与彩膜基板上的共用电极一起形成液晶像素的上下电极，控制液晶分子的旋转实现显示。

2）是存储电容上的ITO为存储电容的另一个电极，与次光刻的金属电极一起形成了存储电容的上下电极，两电极之间的介质层为绝缘层和钝化层。

3）外引线处的ITO为栅线和信号线金属的保护层，为防止金属电极直接暴露在大气下氧化，在外引线暴露金属电极的部分覆盖上ITO起到保护的作用。

下层TFT玻璃压合前处理。首先使用离子水洗净前段的TFT 玻璃，通讯设备显示模块联系方式，然后在TFT玻璃表面上涂布一层有机高分子配向膜，再通过辗压形成所谓的PI配向膜，其主要作用是为液晶分子制作一条的、有固定角度的通道来控制其在电压作用下的旋转方向和角度。然后在TFT玻璃上涂布长方形的密封胶，以利于TFT玻璃与彩色滤光片的粘合以及防止液晶外漏，而这个长方形将会是该open cell的可视区，Z后在胶框内注入液晶。

上层彩色滤光片压合前处理。首先，在彩色滤光片基板上涂布有机高分子材料，再通过辗压形成配向膜。然后在彩色滤光片中喷洒spacer，以保证彩色滤光片与TFT基板的空隙。

将TFT玻璃基板和彩色滤光片进行压合，并在压合处边框部分涂上导电胶，以保证外部电子能进入液晶层。压合后由上向下的顺序为：彩色滤光片、配向膜、液晶、配向膜和TFT玻璃。

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STN LCD比TN LCD的视角更宽，而且除笔段型和字符型的显示以外，也可以做点阵型。STN LCD搭配半透或者反射的偏光片时，可以不加背光直接显示，降低成品的功耗。而且LCD还可以嵌入简单的触控功能，将显示与触控功能二合为一，是物理按键面板的上佳替代方案。

现已实现产业化的tft类型包括：非晶硅tft（a-si tft）、多晶硅tft（p-si tft）、单晶硅tft（c-si tft）几种。目前使用Z多的仍是a-si tft。a-si tft的制造工艺是先在硼硅玻璃基板上溅射栅极材料膜，经掩膜曝光、显影、干法蚀刻后形成栅极布线图案。

tft阵列工艺是tft-lcd制造工艺的关键，也是设备投资Z多的部分。整个工艺要求在很高的净化条件（例如10级）下进行。

一般掩膜曝光用步进曝光机。第二步是用pecvd法进行连续成膜，形成sinx膜、非掺杂a-si膜，掺磷n+a-si膜。然后再进行掩膜曝光及干法蚀刻形成tft部分的a-si图案。第三步是用溅射成膜法形成透明电极（ito膜），再经掩膜曝光及湿法蚀刻形成显示电极图案。第四步栅部绝缘膜的接触孔图案形成则是使用掩膜曝光及干法蚀刻法。第五步是将al等进行溅射成膜，用掩膜曝光、蚀刻形成tft的源极、漏极以及信号线图案。Z后用pecvd法形成保护绝缘膜，再用掩膜曝光及干法蚀刻进行绝缘膜的蚀刻成形（该保护膜用于对栅极以及信号线电部和显示电极的保护）。至此，整个工艺流程完成。

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