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薄膜晶体管（TFT）是平板显示器制造行业的技术，其价值相当于硅芯片对计算机行业的影响。

在20世纪60年代发明液晶显示技术的初期，使用简单的X-Y电极寻址方式对液晶显示器像素进行寻址，显示图像存在大量的串扰，即一个像素会被邻近像素的变化所干扰；后来提出了在每一个X-Y电极的交叉点设计一个具有开关作用的TFT薄膜晶体管和一个电容，用电容来存储和保持施加在该像素液晶上的电压。

Z早都是使用CdSe作为 TFT的有源层，1980年前后开始研究使用非晶硅材料做有源层的TFT特性。相比纯非晶硅，氢化非晶硅（a-Si：H）能通过施主和受主掺杂来分别形成N型和P型半导体材料，奶茶蒸汽机显示屏控制系统，氢能钝化在非晶硅散乱网格中的由位于禁带中的大量悬挂键引起的缺陷态，钝化过程使得非晶硅具有类似晶体硅的特性。

尽管CdSe比a-Si：H的迁移率更高，但它是一种多晶态化合物半导体，它的特性受晶粒尺寸、晶界界面态和化学计量比等因素影响，且对周围的水汽和氧气敏感。a-Si：H无晶界、通过氢的钝化作用既不改变本体特性，又提高了其电学特性。a-Si：H TFT由于具有优良的电学特性、可在玻璃基板上制作，能部分集成周边驱动电路等特点，目前已经是应用Z广、工艺Z稳定、适合于批量生产的TFT技术。

氢化非晶硅薄膜晶体管根据有源层、栅极和漏极的位置可以划分为交错型、共面性、反交错型和面型。

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目前的液晶显示器广泛采用的是底栅结构。因为液晶显示的被动发光器件，即显示器背面需要一个背光源，在底栅结构中不透光的栅极金属层能很好地把来自背光的光遮挡住，避免光线照到硅岛上产生载流子而影响薄膜晶体管的关态电流特性。目前面板厂都广泛采用背沟道（BCE）刻蚀结构，一方面是其电学特性能满足显示器的要求，另一方面该工艺在设计和技术上有所提升。

镀膜/Sputter:在近似真空的环境下，用电场加速惰性元素离子，轰击金属靶材，广州显示屏控制系统，通过溅射沉积（sputter）在玻璃基板上形成一层金属薄膜。

靶材接阴极，玻璃接正极或接地，导入氙气。电子在电场的作用下加速飞向玻璃的过程中与Ar原子发生碰撞，电离出大量的Ar+和e-，形成等离子体(电浆)。 Ar+在电场的作用下加速轰击靶材（什么金属？如何轰击？），溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)玻璃沉积成膜;

光刻形成的ITO有3个作用：

1）TFT处ITO，用作像素电极，与彩膜基板上的共用电极一起形成液晶像素的上下电极，控制液晶分子的旋转实现显示。

2）是存储电容上的ITO为存储电容的另一个电极，与次光刻的金属电极一起形成了存储电容的上下电极，两电极之间的介质层为绝缘层和钝化层。

3）外引线处的ITO为栅线和信号线金属的保护层，为防止金属电极直接暴露在大气下氧化，家电行业显示屏控制系统，在外引线暴露金属电极的部分覆盖上ITO起到保护的作用。

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彩色 TFT 液晶屏主要有 2 种接口： TTL 接口（ RGB 颜色接口） ， LVDS接口（将 RGB 颜色打包成差分信号传输）。 TTL 接口主要用于 12.1 寸一下的小尺寸 TFT 屏， LVDS 接口主要用于 8 寸以上的大尺寸 TFT 屏。 TTL 接口线多， 传输距离短； LVDS 接口传输距离长， 线的数量少。 大屏采用较多的模式， 控制脚是 VSYNC ，HSYNC ， VDEN ， VCLK ， S3C2440 Z高支持 24 个数据脚， 数据脚是 VD[23-0] 。

CPU 或显卡发出的图像数据是TTL 信号（ 0-5V 、 0-3.3V 、 0-2.5V 、或 0-1.8V ）， LCD 本身接收的也是 TTL 信号，由于ＴＴＬ信号在高速率的长距离传输时性能不佳，抗干扰能力比较差，后来又提出了多种传输模式，比如LVDS 、 TDMS 、 GVIF 、 P&D 、 DVI 和 DFP 等。他们实际上只是将CPU 或显卡发出的 TTL 信号编码成各种信号以传输，在LCD 那边将接收到的信号进行*码得到ＴＴＬ信号。但是不管采用何种传输模式，本质的TTL 信号是一样的。注意： TTL/LVDS 分别是两种信号的传输模式，TTL 是高电平表示 1，低电平表示 0 的模式， LVDS是正负两个对应波形，工控设备显示屏控制系统，用两个波形的差值来表示当前是1 还是 0

MCU 接口的 LCD 的 Driver IC 都带 GRAM ， Driver IC 作为 MCU 的一片协处理器，接受 MCU 发过来的 Command/Data，可以相对独立的工作。对于 MCU接口的LCM（ LCDModule），其内部的芯片就叫 LCD驱动器。主要功能是对主机发过的数据/ 命令，进行变换，变成每个象素的 RGB数据，使之在屏上显示出来。这个过程不需要点、行、帧时钟。

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